TRANSISTOR MOSFET IRFZ44N ENCAPSULADO TO-220
$0,85
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V
Id – Corriente de drenaje continua: 49 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 22 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp – Disipación de potencia: 110 W
Agotado
Descripción
IRFZ44N (NTE2395) TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA, HI SPEED SWITCH, CANAL N, 49A, 55V, TO-220
Caracteristicas:
• Clasificación dinámica dV / dt
• Temperatura de funcionamiento de 175 ° C
• Cambio rápido
• Facilidad de paralelismo
• Requisitos de unidad simples
• Cumple con la directiva RoHS 2002/95 / EC
Descripcion:
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan diseñador con la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
El paquete TO-220AB se prefiere universalmente para Aplicaciones comerciales-industriales en disipación de potencia.
niveles a aproximadamente 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Espcificaciones:
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V
Id – Corriente de drenaje continua: 49 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 22 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp – Disipación de potencia: 110 W
Modo canal: mejora
Configuración: Single
Altura: 9,4 mm
Longitud: 10,3 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Ancho: 4,5 mm
Marca: NXP Semiconductors
Tiempo de caída: 30 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 50 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns
Peso de la unidad: 6 g
Contenido:
1 x Transistor MOSFET IRFZ44N (TO)
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