TRANSISTOR MOSFET IRF840 500V 8A CANAL N
$0,85
Especificaciones.
Corriente de drenaje continua: 8 A
Voltaje de fuente de drenaje Vds: 500 V
Resistencia: 0,85 ohmios
Voltaje de prueba RDS (encendido) VG: 10 V
Disipación de potencia Pd: 125 W
Temperatura máxima de funcionamiento: +302.0 °F
Temperatura mínima de funcionamiento: -67.0 °F
Dimensiones: 0.410 x 0.185 x 0.355 in
Agotado
Descripción
Los MOSFET de tercera generación de potencia proporcionan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia al uso y rentabilidad.
El paquete TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comercial-industriales a niveles de disipación de energía a aproximadamente 50 W.
La baja resistencia térmica y el bajo coste del paquete de la TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
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